Nisshinbo MUSES130 高音質 LDO： 低雜訊電源搭配 MUSES 運放，打造完整音訊設計方案
高階音訊設備的表現，不只取決於訊號處理元件， 供電品質同樣是影響類比電路發揮的重要環節。 從 D/A 轉換後的 I/V 轉換、低通濾波， 到音量控制、線路放大與耳機放大， 穩定且低雜訊的電源有助於建立更完整的音訊設計基礎。
Nisshinbo 日清紡 MUSES130 是一款專為高階音訊類比電路設計的 200 mA 正電壓低壓差線性穩壓器。 產品採用雙極型製程，結合 9 μVrms 典型輸出雜訊、75 dB 典型漣波抑制比 與小型薄型 DFN 封裝， 將 MUSES 音訊設計理念從訊號處理延伸至電源管理， 為運算放大器與其他敏感類比電路提供供電選擇。
圖 1｜MUSES130 採用 DFN3030-8-GQ 封裝， 尺寸為 3.0 mm × 3.0 mm × 0.75 mm。
核心功能與規格
| 項目 | MUSES130 規格與功能 |
|---|---|
| 產品類型 | 高音質正電壓 LDO 線性穩壓器 |
| 製程技術 | Bipolar 雙極型製程 |
| 工作輸入電壓 | 2.3～19 V |
| 輸入最大額定值 | 20 V；正常操作仍應維持於規定的工作範圍 |
| 輸出電壓範圍 | 1.8～17 V |
| 輸出電流 | 200 mA |
| 輸出雜訊 | 典型 9 μVrms； 10 Hz～80 kHz、IOUT = 10 mA、 COUT = 100 μF |
| 漣波抑制比 | 典型 75 dB，測試頻率 1 kHz |
| 靜態電流 | 典型 200 μA |
| 工作溫度 | -40°C 至 +125°C |
| 保護功能 | 過電流保護、過熱關斷保護 |
| 封裝 | DFN3030-8-GQ，3.0 mm × 3.0 mm × 0.75 mm |
從訊號處理到電源管理，延伸 MUSES 音訊設計架構
MUSES 系列以高階音訊設備為主要應用， 涵蓋運算放大器等訊號處理元件。 MUSES130 將相同的音質導向設計延伸至電源管理， 讓研發團隊能同時規劃訊號路徑與類比電源， 而不必將兩者視為彼此獨立的設計項目。
MUSES130 在電路、元件配置、材料與組裝技術上， 均納入音訊應用需求。 搭配 MUSES 運算放大器， 可為 I/V 轉換器、濾波器及放大級建立低雜訊正電源， 協助系統從訊號處理到供電品質進行整體優化。
圖 2｜MUSES 系列由訊號處理延伸至電源管理， 提供音訊元件與供電架構的整合方向。
為支援更多正負雙電源應用， 日清紡亦規劃可與 MUSES130 搭配的負電壓 LDO， 預計於 2027 年第一季量產。 此產品仍屬規劃中的配置，實際供應時程以原廠公告為準。
搭配 DAC、音量控制與運放，串起完整類比訊號鏈
在音訊系統中，數位訊號經 D/A 轉換後， 通常還需要經過類比放大、音量調整及輸出驅動。 這些電路的供電需求各不相同， 因此可依負載電壓與功能分配適合的穩壓器。
MUSES 系列應用架構可由 MUSES100 負責 D/A 轉換器供電， 再由 MUSES130 提供音訊運放及音量控制電路的正電源。 運放級可評估搭配 MUSES 系列或 NL8802／NL8902， 音量控制則可搭配 MUSES 系列或 NJU72322， 讓電源與訊號處理元件共同構成完整方案。
圖 3｜從 D/A 轉換、音量控制到類比輸出的供電配置示例； 負電壓 LDO 為規劃中的產品。
MUSES130 支援 1.8～17 V 輸出電壓與 200 mA 輸出電流， 可依各級類比電路的工作條件進行配置。 對使用正負雙電源的電路， MUSES130 負責正電源軌， 負電源則需另行搭配適合的穩壓方案。
低輸出雜訊，搭配電容配置建立音訊電源
MUSES130 的典型輸出雜訊為 9 μVrms， 對應 10 Hz～80 kHz 量測頻寬、 10 mA 輸出負載及 100 μF 輸出電容。 這項低雜訊特性可為敏感類比電路提供電源選型依據， 協助研發團隊在放大與濾波設計中同步考量供電品質。
輸出電容是低雜訊設計中的重要配置項目。 在下列典型測試條件中， 100 μF 輸出電容的雜訊曲線低於 10 μF 配置， 可作為比較電容容量、板面空間與目標雜訊表現的參考。 實際元件選擇仍應配合原廠穩定性要求及完整負載條件。
圖 4｜輸出雜訊與負載電流的典型特性。 測試條件包含 VIN = 3.9 V、 VOUT = 2.9 V，並比較 COUT = 10 μF 與 100 μF。 其他外部元件及量測條件請參閱原廠資料。
75 dB 典型漣波抑制，降低輸入擾動對類比供電的影響
MUSES130 在 1 kHz 下提供典型 75 dB 漣波抑制比， 搭配低輸出雜訊， 讓音訊電源設計能同時處理穩壓器自身雜訊與輸入端漣波。
漣波抑制能力會隨頻率變化。 開發團隊可依設備中的主要干擾頻率， 參考完整特性曲線選擇工作條件， 再結合 PCB 接地、供電走線與外部電容配置， 完成系統層級的雜訊驗證。
圖 5｜漣波抑制比的典型頻率特性。 參考條件包含 VIN = 3.9 V、 VOUT = 2.9 V、IOUT = 10 mA、 COUT = 10 μF。
參考應用電路，銜接低雜訊元件與輸出設定
MUSES130 的應用電路包含輸入去耦、內部穩壓相關電容、 雜訊降低電容及輸出回授網路， 可讓工程師依目標電壓與雜訊需求規劃外部元件。 輸出設定採用 R1、R2 回授配置， 並搭配 CFB、CNR 等元件完成電路設計。
圖 6｜MUSES130 典型應用電路。 CIN = 10 μF、 CREG = 1 μF、 CNR = 0.47 μF、 CFB = 10 nF、 COUT = 10 μF。
此參考電路採用 10 μF 輸出電容， 而 9 μVrms 典型雜訊規格對應 100 μF 輸出電容的測試條件。 工程師可依板面空間、負載及雜訊目標選擇適合配置， 並在最終 PCB 上確認輸出穩定性、雜訊與負載變動表現。
薄型封裝與保護功能，兼顧機構整合及熱設計
MUSES130 的 3.0 mm × 3.0 mm × 0.75 mm DFN3030-8-GQ 封裝， 可為空間受限的音訊模組保留配置彈性。 產品支援 -40°C 至 +125°C 工作溫度， 並整合過電流與過熱關斷保護， 讓電源規劃可同步考量正常負載與異常狀況。
導入時將輸入輸出壓差、負載電流與 PCB 散熱共同評估， 再完成電源及音訊整機量測， 可讓 MUSES130 的低雜訊特性與系統設計需求相互配合。 從運放、音量控制到正電壓供電， MUSES 系列提供更完整的高階音訊整合方向。
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產品規格、典型特性與使用條件，請以原廠最新資料為準。